窒化アルミニウム (AlN) はアルミニウムの窒化物で、そのウルツ鉱局面 (w-AlN) は幅広いバンドギャップ(6.2 eV)の半導体材料で、深紫外線オプトエレクトロニクスのためのアプリケーション用途の可能性があります。

典型的なサンプルについてAlN波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。2.16468および0。以下は、屈折率および吸光係数のファイルです。ダウンロードできないファイルがある場合は、「リクエスト」をクリックして、システム専用のデータファイルをご請求いただけます。

Refractive Index Reference - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 150

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