ガリウムヒ素(GaAs) はガリウムとヒ素元素の混合物で、III-V族半導体で、電子レンジの周波数集積回路、モノリシック電子レンジ集積回路、赤外線発光ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池や光学窓などの機器の製造に用いられます。

典型的なサンプルについてGaAs波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。3.85744および0.1983491。以下は、屈折率および吸光係数のファイルです。ダウンロードできないファイルがある場合は、「リクエスト」をクリックして、システム専用のデータファイルをご請求いただけます。

Refractive Index Reference - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)

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