ヒ化インジウム、InAs、別名アルシントリイルインジウムは、インジウムとヒ素から成る半導体材料です。それはグレーの立方晶系結晶の外観を持ち、波長範囲が1～3.8 µmまでの赤外線探知機の構造として用いられます。探知機は大抵光電池フォトダイオードです。

典型的なサンプルについてInAs波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。3.96317および0.6065408。以下は、屈折率および吸光係数のファイルです。ダウンロードできないファイルがある場合は、「リクエスト」をクリックして、システム専用のデータファイルをご請求いただけます。

Refractive Index Reference - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

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