リン化インジウム(InP) はインジウムとリンの二元半導体化合物で、高電力、高周波電子機器に用いられます。

典型的なサンプルについてInP波長632.8nmにおける屈折率と吸光係数は以下の通りです。3.53635および0.3075118。以下は、屈折率および吸光係数のファイルです。ダウンロードできないファイルがある場合は、「リクエスト」をクリックして、システム専用のデータファイルをご請求いただけます。

Refractive Index Reference - Sopra Material Database

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