Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. InP is used in high-power and high-frequency electronics.

Für eine typische Probe von InP betragen der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient bei 632,8 nm 3.53635 und 0.3075118. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollständigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, können Sie unsere proprietäre Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

Referenz für BrechungsindexSopra Material Database

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