Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals and is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1-3.8 ?Em. The detectors are usually photovoltaic photodiodes.

일반 예시InAs632.8 nm에서의 굴절률 및 소광 계수는3.96317및0.6065408입니다. 다음은 전체 굴절률 및 흡수율 파일입니다. 파일을 다운로드할 수 없는 경우 '요청'을 클릭하여 독점 파일을 요청할 수 있습니다.

Refractive Index Reference - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

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