Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. InP is used in high-power and high-frequency electronics.

일반 예시InP632.8 nm에서의 굴절률 및 소광 계수는3.53635및0.3075118입니다. 다음은 전체 굴절률 및 흡수율 파일입니다. 파일을 다운로드할 수 없는 경우 '요청'을 클릭하여 독점 파일을 요청할 수 있습니다.

Refractive Index Reference - Sopra Material Database

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