Mosaic™ system for plasma dicing
The Mosaic™ platform with Rapier-S process modules, is an etch system, designed for plasma dicing of framed wafers up...
等离子体切割
一种可行的替代传统线切割或激光切割的晶圆分割方法
等离子体切割，使用深反应离子刻蚀（DRIE）工艺，正在被半导体业界广泛接受，作为一种可行的替代传统线切割或激光切割的晶圆分割方法。
等离子切割为用户带来可观的好处
- 更高产能，每个晶圆的管芯数量增加最多可达 80%
- 更高良率，管芯的牢固度提高最多可达 100%
- 使管芯布局和设计更具有灵活性。
等离子体切割可以在背面研磨前进行，此时，切割道被蚀刻到晶圆中一定深度，最终通过背面研磨步骤对管芯进行分离。等离子体切割也可以在研磨后进行，此时会使用深反应等离子体刻蚀（DRIE） 对贴合在含胶膜的切割框架或载片上的减薄晶圆进行蚀刻。
等离子体切割技术可以与焊接凸块和背面金属相兼容，在标准晶圆/减薄晶圆/TAIKO 晶圆和晶片及一系列的切割框架和胶带上，Mosaic™ 等离子切割方案已经成功地展示了“研磨后切割”技术。
