先进封装

随着半导体行业努力克服“摩尔定律”的限制,尺寸缩放无法再提供较低的门信号延迟,新的解决方案正在开发中,以减少芯片尺寸/厚度和降低生产成本,同时提高可靠性、性能和多功能集成。

SPTS Technologies为领先的半导体封装公司提供了广泛的工艺技术,用于先进的封装方案。从高密度扇出型晶圆级封装(FOWLP)到最先进的“3D-IC”封装,其中两个或多个芯片可能用于不同的功能,通过填充金属的硅通孔(TSV)在垂直方向实现堆叠和连接。

利用我们数十年来在硅刻蚀方面的专业知识,SPTS为直径高至300毫米的晶圆提供最先进的可用于研磨前切割(DBG)或研磨后切割(DAG)的等离子切割解决方案,。

应用于先进封装的相关工艺包括:

硅蚀刻-深TSV蚀刻和总体硅蚀刻,用于通孔露出和晶圆减薄/CMP损伤层去除

等离子切割-小尺寸、薄管芯的低损伤分离

PVD-UBM/RDL和TSV种子/阻挡层的金属沉积

PECVD-钝化和应力控制层的介质膜沉积

LPCVD/扩散-热氧化膜沉积和金属退火的大批量工艺